אם ההיסטוריה האחרונה היא מדריך, סמסונג תשחרר את הסמארטפונים הקרובים שלה Galaxy S25 בחודשים הראשונים של השנה הבאה, כאשר ארבעת הדגמים האחרונים יגיעו בינואר או בפברואר.
יש כבר הרבה דליפות ושמועות של סמסונג גלקסי S25 להכניס את השיניים שלך, אבל דוח חדש מדגיש מידע מעניין לגבי היורש שלו. Phone Arena מצטט פוסט למנויים בלבד של מדליף בסין, בטענה שערכת השבבים Qualcomm Snapdragon 8 Gen 5 שתוכננה להפעיל את סמארטפונים הדגלים של 2026 תקבל חיזוק משמעותי ביחס למה שנמצא על השולחן כעת.
לפני שניכנס לפרטים הספציפיים, אזהרת בריאות מהירה על דליפות סמארטפונים של מדיה חברתית. למרות שהם הוכחו לעתים קרובות כנכונים בעבר, לא ניתן לסמוך על הדיוק של כל דליפה בודדת – וזה נכון שבעתיים כאשר לפוסטר המדובר אין רקורד חזק להתייעץ. למדליף המדובר כאן – The Undead על Weibo – יש רקורד "לא ידוע", Phone Arena מודה, אז קח את הדברים הבאים עם קורט מלח.
עם זאת, הפוסט מסביר כי ליבות היעילות של ה-3nm Snapdragon 8 Gen 5 יגיעו ל-4GHz, כאשר ליבות הביצועים מגיעות ל-5GHz.
למרות שעדיין לא ראינו אילו מהירויות קוואלקום תחשוף בשבב השנה (אנחנו כביכול מסתכלים על סביבות 4GHz), אנחנו כן יודעים של-Snapdragon 8 Gen 3 ל-Galaxy שמניע את Samsung Galaxy S24 יש מהירויות ליבה של בין 2.2 גיגה-הרץ ו-3.39 גיגה-הרץ, כך שזו תהיה קפיצה עצומה תוך שנתיים בלבד.
שוב, כנראה שעדיף להתייחס לזה בספקנות מסוימת לעת עתה. גם אם ערכת השבבים (עדיין תיאורטית) מסוגלת להגיע למהירויות אלו, ייתכן שהיא לא תהיה מעשית כשהיא סגורה בתוך סמארטפונים. יש מקום מוגבל לקירור, אפילו עם שיפורי היעילות שתהליך הייצור של 3nm אמור להביא.
הפיל בחדר הוא שעבור אנשים רבים, הסמארטפונים כבר מספיק מהירים, והגברת מהירות של כמעט 50% עשויה להיראות כמו מוגזם קיצוני. עם זאת, ישנם שני תחומים שבהם יותר מהירות תמיד מתקבלת בברכה: משחקים ניידים מתקדמים ובינה מלאכותית במכשיר. עם כל יצרניות הסמארטפונים מהמרים בגדול על האחרון, מהירות רבה יותר בהחלט תתקבל בברכה עבור אלה שדוחפים תכונות AI מתקדמות בשנים הקרובות.
לפני ה-Samsung Galaxy S26, כמובן, יש לנו לצפות ל-Galaxy S25. מדדי מידה שהודלפו מצביעים על שיפור של 25-30% במונחים של מהירות, עם יותר זיכרון RAM ושיפורים גדולים למצלמה בדגם S25 Ultra.
